Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Наименование разработки: Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка
Назначение разработки, решаемые задачи: Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и pHEMT и pin-диодов специального и общего назначения
Стадия разработки: Промышленное производство
Обеспеченность сырьём и комплектующими: Поставки из Китая и Японии
Обеспеченность научным и другим оборудованием: Обеспечены
Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Имеются
Контактная информация:
630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 330-90-55, Факс: +7(383) 333-27-71